类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES7.32KOHM1/10W.1%0603,系列:RG,制造商:Susumu,电阻333Ω444:7.32k,功率333W444:0.1W，1/10W,成分:薄膜,特性:-,温度系数:卤25ppm/掳C,容差:卤0.1%,封装__外壳:0603（1608公制）,供应商器件封装:0603（1608Metric
更新时间：2025-04-24 直达：rg1608p-7321-b-t1.icpartno.51dzw.com
类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES88.7OHM0.20W0.1%0805,系列:PAT,制造商:VishayThinFilm,电阻333Ω444:88.7,功率333W444:0.2W，1/5W,成分:薄膜,特性:获得AEC-Q200汽车认证，防潮,温度系数:卤25ppm/掳C,容差:卤0.1%,封装__外壳:0805（2012公
更新时间：2025-04-21 直达：pat0805e88r7bst1.icpartno.51dzw.com
类别:网络、阵列,描述:RESNET1KOHM2RESTO-236-3,系列:MPM,制造商:VishayThinFilm,电路类型:分压器,电阻333Ω444:1k,电阻器数:2,引脚数:3,每元件功率:100mW,容差:卤0.1%,温度系数:卤25ppm/掳C,应用:-,安装类型:表面贴装,封装__外壳:TO-236-3，SC-59，SOT
更新时间：2025-04-20 直达：mpmt2001ct1.icpartno.51dzw.com
类别:晶体管(BJT)-单路,描述:TRANSPNPGP30V100MASOT-23,系列:-,制造商:ONSemiconductor,晶体管类型:PNP,电流_集电极333Ic444111最大222:100mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:30V,IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:650mV@5mA，100mA,电流_集电极截止111最大222:
更新时间：2025-04-16 直达：bc858alt1.icpartno.51dzw.com
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